(图 via AnandTech)
不久前,台积电官方宣布了 6nm(N6)工艺节点,在已有 7nm(N7)工艺的基础上增强而来,号称可提供极具竞争力的高性价比,而且能加速产品研发、量产、上市速度。台积电 CEO 兼副董事长魏哲家(CC Wei)最新披露,绝大多数 7nm 工艺客户,都会转向 6nm 工艺,使用率和量产产能都会迅速扩大。
考虑到6nm工艺沿用了7nm工艺的设计规则,升级迁移还是相当容易的,成本增加不大,性能功耗方面又有提升(虽然不会特别明显),客户自然也乐得上新工艺,看起来这代工艺会相当流行。
台积电现在的7nm工艺有两个版本,第一代7nm(N7)采用传统DUV光刻技术,第二代7nm+(N7+)则是首次加入EUV极紫外光刻,已进入试产阶段,预计下一代苹果A、华为麒麟都会用,2019年两者合计可贡献大约25%的收入。
新的6nm工艺也有EUV极紫外光刻技术,相比7nm+(N7+)增加了一个极紫外光刻层,同时相比7nm(N7)可将晶体管密度提升18%,而且设计规则完全兼容7nm(N7),便于升级迁移,降低成本,相比之下7nm+(N7+)则是另一套设计规则。
台积电6nm预计2020年第一季度试产,再往后的5nm工艺也已经开始试产,号称相比于第一代7nm晶体管密度提升45%,可带来15%的性能提升或20%的功耗下降。
事实上,台积电预计多数7nm工艺客户会转向6nm然后再次升级到5nm,7nm+则不会那么普及,不少客户可能会选择跳过。